氮化鎵芯片製造商英諾賽科(InnoScience)已通過香港聯交所的上市聆訊,並啟動了上市的預路演,計劃籌集1.5億至2億美元(約合11.7億至15.6億港元)。聯席保薦人中金公司及招銀國際負責此項目上市。
根據初步招股文件,英諾賽科專注於開發和銷售氮化鎵功率芯片,這些芯片的應用領域包括電子產品的快速充電、適配器、可再生能源的電池管理系統、工業應用、汽車電子的LiDAR系統及數據中心的充電設備。與傳統的矽基材料相比,氮化鎵可承受更高的電壓,具備優越的導電性能,並能在相同體積下提供更高的充電效率。截至今年6月底,英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率芯片生產基地,每月產能達12,500塊。
在地緣政治方面,美國正加強對中國企業的圍堵,但目前英諾賽科尚未受到任何制裁。該公司表示,約9% 的銷售額來自中國內地客戶,而海外銷量則占約10%,因此若未來受到制裁,對業務影響相對有限。
不過,公司面臨的不僅是地緣政治風險,還有專利侵權問題。英諾賽科被同行公司英飛凌(Infineon Technologies)和宜普電源轉換公司(EPC)起訴。美國國際貿易委員會(ITC)在11月最終裁定英諾賽科侵犯了「294號專利」。該公司計劃於明年3月7日前向美國聯邦巡迴上訴法院提出上訴。
在財務狀況方面,英諾賽科在過去三年半中持續虧損,但虧損幅度逐年減少。2021年、2022年及2023年的虧損分別為33.99億元、22.05億元及11.02億元。今年上半年虧損為4.88億元,同比收窄15.8%;同期收益為3.86億元,同比增長25%。
英諾賽科預計約60%的籌集資金將用於擴大8英吋氮化鎵晶圓產能;約20%將用於研發及擴大產品組合,以提高市場滲透率;另外約10%用於擴大全球分銷網絡,其中3%將投入營銷活動,包括參加展覽及論壇等;其餘資金將主要用作營運資金和一般企業用途。
我們的電子報內容豐富多彩,從即時新聞到引人深思的評論文章,讓讀者隨時掌握最重要的資訊,並保持參與感。立即訂閱,加入我們的讀者社群,走在時代的尖端。